IKW75N65ES5XKSA1 |
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製造業者
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インフィニオン・テクノロジーズ
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製造業者プロダクト数
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IKW75N65ES5XKSA1
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記述
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IGBTの堀650V 80A TO247-3
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詳細な説明
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IGBTは穴PG-TO247-3を通して650ボルト80 A 395 Wを堀で囲む
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タイプ
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記述
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部門
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分離した半導体製品
単一トランジスター- IGBTs -
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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TrenchStop™
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プロダクト状態
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活動的
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IGBTのタイプ
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堀
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電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)
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650ボルト
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現在-コレクター((最高) IC)
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80 A
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現在-脈打つコレクター(Icm)
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300 A
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Vce () (最高) @ Vge、IC
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1.75V @ 15V、75A
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パワー最高
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395 W
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転換エネルギー
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2.4mJ ()、950µJ ()
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入れられたタイプ
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標準
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ゲート充満
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164 NC
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Td (オン/オフ) @ 25°C
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40ns/144ns
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テスト条件
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400V、75A、18Ohm、15V
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逆の回復時間(trr)
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85 ns
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実用温度
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-40°C | 175°C (TJ)
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タイプの取付け
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穴を通して
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パッケージ/場合
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TO-247-3
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製造者装置パッケージ
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PG-TO247-3
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基礎プロダクト数
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IKW75N65
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TPS6209718RWKR | チタニウム | 22+ | VQFN11 |
USB7002T-I/KDXVAO | マイクロチップ | 22+ | VQFN-100 |
USB7002-I/KDX | マイクロチップ | 22+ | VQFN-100 |
USB5807-I/KD | マイクロチップ | 22+ | VQFN100 |
USB5807T/KD | マイクロチップ | 22+ | VQFN100 |
TPS259460ARPWR | チタニウム | 22+ | VQFN-10 |
TPS62913RPUR | チタニウム | 22+ | VQFN-10 |
TLV62585RWTT | チタニウム | 22+ | VQFN-10 |
LM3658SDX-B/NOPB | チタニウム | 22+ | VQFN10 |
TPS62142RGTR | チタニウム | 22+ | VQFN1 |
DRV8801RTYR/DRV8801RTYT | チタニウム | 22+ | VQFN |
TPS630701RNMR | チタニウム | 22+ | VQFN |
LMR33620AQRNXRQ1 | チタニウム | 22+ | VQFN |
BQ24079TRGTR | チタニウム | 22+ | VQFN |
PIC16F1719T-I/MV | マイクロチップ | 22+ | VQFN |
MSP430FR2522IRHLR | チタニウム | 22+ | VQFN |
TPS51486RJER | チタニウム | 22+ | VQFN |
ATA5702F1000M-WDQW | マイクロチップ | 22+ | VQFN |
TPS74401RGRR | チタニウム | 22+ | VQFN |
TPS6281208QWRWYRQ1 | チタニウム | 22+ | VQFN |
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