点SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS分野効果の管Mosfet
SI2309CDS-T1-GE3 |
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製造業者
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Vishay Siliconix
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製造業者プロダクト数
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SI2309CDS-T1-GE3
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記述
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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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製造業者の標準的な調達期間
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50週
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詳細な説明
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P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta)、1.7W (Tc)表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)
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タイプ
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記述
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部門
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分離した半導体製品
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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Vishay Siliconix
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シリーズ
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TrenchFET®
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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P-Channel
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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60ボルト
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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1.6A (Tc)
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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345mOhm @ 1.25A、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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4.1 NC @ 4.5ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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210 pF @ 30ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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1W (Ta)、1.7W (Tc)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3 (TO-236)
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パッケージ/場合
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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基礎プロダクト数
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SI2309
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リソース タイプ | リンク |
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データ用紙 | SI2309CDS |
環境情報 | |
HTMLのデータ用紙 | SI2309CDS |
EDAモデル | 超司書によるSI2309CDS-T1-GE3 |
属性 | 記述 |
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RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
湿気感受性のレベル(MSL) | 1 (無制限) |
範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
PAC1934T-I/J6CX | マイクロチップ | 22+ | WLCSP16 |
SSM2529ACBZ-R7 | ADI | 22+ | WLCSP16 |
FAN53526UC00X | 22+ | WLCSP-15 | |
NX20P5090UKAZ | NXP | 22+ | WLCSP15 |
NX20P5090UK | NXP | 22+ | WLCSP15 |
STM32L4R9ZIY6PTR | STM | 22+ | WLCSP-144 |
STM32F429ZIY6TR | ST | 22+ | WLCSP143 |
RT9746HWSC | RICHTEK | 22+ | WL-CSP-12B |
MX25R1635FBDIL0 | MXIC/ | 22+ | WLCSP-12 |
MX25R6435FBDIL0 | MXIC | 22+ | WLCSP-12 |
W25Q32JWBYIQ | 22+ | WLCSP12 | |
NX5P3090UK | NXP | 22+ | WLCSP12 |
TCC-303A-RT | 22+ | WLCSP12 | |
STM32L496VGY6PTR | ST | 22+ | WLCSP100 |
ADG884BCBZ-REEL7 | ADI | 22+ | WLCSP10 |
EFC2K102ANUZTDG | 22+ | WLCSP10 | |
SGM40661YG/TR | SGM | 22+ | WLCSP-1.30 |
SGM6032-1.2YG/TR | SGMICRO () | 22+ | WLCSP-1.21 |
P9222-3AZGI8 | RENESAS | 22+ | WLCSP |
PCMF1USB3S | NXP | 22+ | WLCSP |
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MC33202DR2G |
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Digiキーの部品番号
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MC33202DR2GOSTR-ND -テープ及び巻き枠(TR)
MC33202DR2GOSCT-ND -切りなさいテープ(CT)を
MC33202DR2GOSDKDR-ND - Digi-Reel®
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製造業者
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製造業者プロダクト数
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MC33202DR2G
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記述
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IC OPAMP GP 2回路8SOIC
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製造業者の標準的な調達期間
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45週
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詳細な説明
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一般目的のアンプ2回路の柵に柵8-SOIC
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