Shenzhen Semicon Electronics Technology Co., Ltd.
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チャネル200V/18A直接MOSFETのmosFEtsに220N Semicon IRF640NPBF
製品
-
ICの集積回路
記述
IRF640NPBF
保証
360days
包装
原物
調達期間
1-4working幾日
様式の取付け
穴を通して
製品タイプ
MOSFET
最高使用可能温度
+ 175 C
起源の場所
IRF640NPBF
ブランド名
Origianal
証明
IRF640NPBF
モデル番号
IRF640NPBF
最小注文数量
6PCS
価格
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パッケージの詳細
標準
受渡し時間
2営業日以内
支払条件
T/Tの条件付捺印証書、Whhite Horse/GETSのテスト、Alipay
供給の能力
11800000pcs/day
チャネル200V/18A直接MOSFETのmosFEtsに220N Semicon IRF640NPBF
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チャット
チャネル200V/18A直接MOSFETのmosFEtsに220N Semicon IRF640NPBF
プロダクト特性
技術:
Si
様式の取付け:
穴を通して
パッケージ/場合:
TO-220-3
トランジスター極性:
N-Channel
チャネルの数:
1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
200ボルト
ID -連続的な下水管の流れ:
18 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:
150のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧:
- 20ボルト、+ 20ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
2ボルト
Qg -ゲート充満:
44.7 NC
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 175 C
Pd -電力損失:
150 W
チャネル モード:
強化
包装:
管
ブランド:
Infineon/IR
札:
線形調整装置LDO
SEMICON ICの集積回路
MAX3221EEAE+T
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