Semicon FDMC4435BZ FDMC4435BE-F126の集積回路のトランジスターMOSFET P-CH 8MLP
プロダクト特性
部分の状態 |
活動的 |
自動車 |
いいえ |
PPAP |
いいえ |
製品カテゴリ |
力MOSFET |
材料 |
Si |
構成 |
単一のクォードの下水管の三重の源 |
加工技術 |
TMOS |
チャネル モード |
強化 |
チャネル タイプ |
P |
破片ごとの要素の数 |
1 |
最高の下水管の源の電圧(v) |
30 |
最高のゲート源電圧(v) |
±25 |
最高の連続的な下水管現在の(a) |
8.5 |
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) |
20@10V |
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) |
33@10V|17@4.5V |