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CSD13381F4 12V ESD Protection Mosfet Field Effect Transistor DQ XFDFN-3 N-Channel

CSD13381F4 12V ESDの保護Mosfetの電界効果トランジスタDQ XFDFN-3のN-Channel

  • ハイライト

    ESD Mosfetの電界効果トランジスタ

    ,

    12V Mosfetの電界効果トランジスタ

    ,

    CSD13381F4

  • モデル番号
    CSD13381F4
  • タイプ
    CSD13381F4
  • 実用温度
    -40°C | 85°Cの正常な温度
  • 製品名
    電子部品のラズベリーPiのための学習の始動機のキットの続き
  • パッケージ/場合
    SMD/DIP/SOP/QFP/BGA/TO/PLCC/QFN
  • 適用
    電子Componetsのコンピュータ
  • 起源の場所
    中国
  • ブランド名
    CSD13381F4
  • 証明
    CSD13381F4
  • モデル番号
    CSD13381F4
  • 最小注文数量
    6 PCS
  • 価格
    Contact
  • パッケージの詳細
    標準的なカートン
  • 受渡し時間
    1日
  • 支払条件
    T/T、T/T、D/P、D/A、L/C、D/P、L/C、PayPalの条件付捺印証書
  • 供給の能力
    288000pcs/Day

CSD13381F4 12V ESDの保護Mosfetの電界効果トランジスタDQ XFDFN-3のN-Channel

CSD13381F4 DQ XFDFN-3のN-Channel 12V ESDの保護分野効果MOSのトランジスター

 

 

属性 パラメータ値  
製品カタログ 電界効果トランジスタ(MOSFET)
タイプ -
下水管源の電圧(Vdss) -
連続的な下水管の流れ(ID) -
力(Pd) -
オン抵抗(RDSの() @Vgs、ID) -
境界の電圧(Vgs (Thの) @Id) -
ゲート充満(Qg@Vgs) -
入れられたキャパシタンス(Ciss@Vds) -
逆の移動キャパシタンス(Crss@Vds) -

 

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