CSD23202W10 SEMICON TRANS MOSFET P-CH 12V 2.2A 4 Pin DSBGA
EU RoHS |
迎合的 |
ECCN (米国) |
EAR99 |
部分の状態 |
活動的 |
自動車 |
いいえ |
PPAP |
いいえ |
製品カテゴリ |
力MOSFET |
構成 |
単一の二重下水管 |
加工技術 |
NexFET |
チャネル モード |
強化 |
チャネル タイプ |
P |
破片ごとの要素の数 |
1 |
最高の下水管の源の電圧(v) |
12 |
最高のゲート源電圧(v) |
6 |
最高のゲートの境界の電圧(v) |
0.9 |
最高の連続的な下水管現在の(a) |
2.2 |
最高のゲートの源の漏出流れ(nA) |
100 |
最高IDSS (uA) |
1 |
最高の下水管の源の抵抗(mOhm) |
53@4.5V |
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) |
2.9@4.5V |
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) |
394@6V |
最高の電力損失(MW) |
1000 |
典型的な落下時間(ns) |
21 |
典型的な上昇時間(ns) |
4 |
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) |
58 |
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) |
9 |
最低の実用温度(°C) |
-55 |
最高使用可能温度(°C) |
150 |
包装 |
テープおよび巻き枠 |
製造者のパッケージ |
DSBGA |
ピン・カウント |
4 |
標準パッケージの名前 |
BGA |
土台 |
表面の台紙 |
パッケージの高さ |
0.28 (最高) |
パッケージの長さ |
1 |
パッケージの幅 |
1 |
PCBは変わった |
4 |
鉛の形 |
球 |